长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，提升电容结构集成度与性能_厂商动态

长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，提升电容结构集成度与性能

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2026-01-01 15:15:31

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及其半导体结构”的专利，公开号CN121240438A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法及其半导体结构，包括：提供基底；在基底上形成相邻设置的堆叠结构和阻挡结构，堆叠结构由第一层和第二层在第三方向上交替堆叠而成，第三方向垂直于基底表面，堆叠结构的顶面与阻挡结构的顶面平齐；采用第一处理工艺以形成第一开口，第一开口沿第三方向至少穿过叠层结构；采用第二处理工艺以在第一开口底部形成材料层；去除部分第二层以形成第二开口，第一开口和第二开口共同构成第三开口；在第三开口中形成电容结构，电容结构沿第一方向延伸且在第二方向和第三方向均间隔设置。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息235条，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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