上海超硅申请绝缘体上半导体的制备方法专利，能够直接在衬底层上生长富陷阱层
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2026-01-01 17:36:37
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国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“绝缘体上半导体的制备方法”的专利，公开号CN121240531A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种绝缘体上半导体的制备方法。该制备方法包括在反应室中提供第一供体作为衬底层，在反应室满足预设环境条件的情况下，在第一供体的表面形成富陷阱层；提供第二供体作为器件层，在第二供体的表面形成埋氧层；以及将富陷阱层与埋氧层结合得到绝缘体上半导体，在反应室满足预设环境条件的情况下，在第一供体的表面形成富陷阱层，包括：在反应室满足预设环境条件的情况下，向反应室中注入硅源前驱体在第一供体表面生长得到富陷阱层。本公开的实施例能够直接在衬底层上生长富陷阱层，从而不需要通过介电层才生长富陷阱层。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可193个。
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来源：市场资讯
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