争妍微电子申请超级结MOSFET器件结构专利，能够精确控制电荷平衡
创始人
2026-01-02 20:07:40
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国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法”的专利，公开号CN121262868A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及高分子材料技术领域，公开了一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法，包括在半导体衬底上形成催化剂纳米点阵；随后，在一个单一、连续的外延生长过程中，通过高频次地交替执行N型脉冲和P型脉冲，实现N型半导体柱的催化剂引导生长与P型半导体柱的选择性外延填充生长，形成自对准的超级结结构。该方法利用原位实时光学监控系统，根据外延层在生长初期、中期、末期阶段的不同厚度，对脉冲的持续时间进行自适应调整并对表面拓扑进行补偿。通过制备的超级结结构为整体式的、无物理界面的单晶结构，实现了原子级陡峭的掺杂结，简化了工艺，消除了界面缺陷，能够精确控制电荷平衡，从而获得低漏电流、高击穿电压均匀性和高表面平坦度的器件。
天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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