长鑫新桥申请半导体结构的制作方法及半导体结构专利,提高了半导体结构制作的可靠性
创始人
2025-07-01 16:09:39
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金融界2025年7月1日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫新桥存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及半导体结构”的专利,公开号CN120239273A,申请日期为2025年05月。

专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法包括:提供基底,基底包括多个有源区、设置于有源区上的栅极结构以及隔离层,相邻栅极结构之间设置有隔离结构,隔离层覆盖栅极结构和隔离结构,并将栅极结构与隔离结构之间的空间填充;于隔离层上形成多个开口,每一个开口的底部暴露部分有源区,靠近隔离结构设置的开口的侧面暴露出至少部分隔离结构的表面;形成保护层,保护层至少覆盖经开口的侧面暴露出的隔离结构的表面;经过开口的底面对各个有源区进行离子注入工艺形成源区或漏区;于各个开口中形成导电插塞,导电插塞与对应的源区或漏区连接。通过设置保护层,避免破坏隔离结构,提高了半导体结构制作的可靠性。

天眼查资料显示,长鑫新桥存储技术有限公司,成立于2021年,位于合肥市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5395371.51069万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫新桥存储技术有限公司参与招投标项目142次,财产线索方面有商标信息3条,专利信息20条,此外企业还拥有行政许可21个。

来源:金融界

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