长鑫新桥申请半导体结构的制作方法及半导体结构专利，提高了半导体结构制作的可靠性
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2025-07-01 16:09:39
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫新桥存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及半导体结构”的专利，公开号CN120239273A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括多个有源区、设置于有源区上的栅极结构以及隔离层，相邻栅极结构之间设置有隔离结构，隔离层覆盖栅极结构和隔离结构，并将栅极结构与隔离结构之间的空间填充；于隔离层上形成多个开口，每一个开口的底部暴露部分有源区，靠近隔离结构设置的开口的侧面暴露出至少部分隔离结构的表面；形成保护层，保护层至少覆盖经开口的侧面暴露出的隔离结构的表面；经过开口的底面对各个有源区进行离子注入工艺形成源区或漏区；于各个开口中形成导电插塞，导电插塞与对应的源区或漏区连接。通过设置保护层，避免破坏隔离结构，提高了半导体结构制作的可靠性。
天眼查资料显示，长鑫新桥存储技术有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5395371.51069万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫新桥存储技术有限公司参与招投标项目142次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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