拓荆创益申请温度控制方法及加热盘温控系统专利，实现对加热盘进行温度和电阻-温度曲线标定
创始人
2026-01-13 18:09:03
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种温度控制方法及加热盘温控系统”的专利，公开号CN121300536A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种温度控制方法、一种加热盘温控系统，以及一种计算机可读存储介质。所述温度控制方法包括以下步骤：获取半导体加工设备的工况状态；响应于所述工况状态指示所述半导体加工设备未经加热丝电阻-温度曲线标定，采用第一控制模式，经由设于所述半导体加工设备的加热盘的中心区域的热电偶进行测温，以对所述加热盘进行温度控制和加热丝电阻-温度曲线标定；以及响应于所述工况状态指示所述半导体加工设备已经经过所述加热丝电阻-温度曲线标定，采用第二控制模式，测量所述加热盘中的加热丝的电阻，并结合所述加热丝电阻-温度曲线来对所述加热盘进行测温和温度控制。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息436条，此外企业还拥有行政许可16个。
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来源：市场资讯
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