得来化学申请半导体结晶晶圆制造装置及方法专利，可简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆
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2026-01-15 07:44:11
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国家知识产权局信息显示，得来化学有限公司申请一项名为“半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法”的专利，公开号CN121335787A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本发明的目的在提供可简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆的半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法。半导体结晶晶圆的一例的SiC晶圆的制造方法包括沟槽加工步骤(STEP100/图1)、引导线形成步骤(STEP110/图1)、切断步骤(STEP120/图1)及磨削加工步骤(STEP130/图1)。
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来源：市场资讯
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