国家知识产权局信息显示,中航凯迈(上海)红外科技有限公司申请一项名为“一种红外阵列芯片平面结的成结方法”的专利,公开号CN121335240A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,一种红外阵列芯片平面结的成结方法,包括以下步骤:在半导体晶片上制备一层掩蔽层;通过光刻、腐蚀或刻蚀方法,在所述掩蔽层上形成网格阵列结构的扩散窗口,所述扩散窗口的中心距与光电二极管阵列像元要求的中心距一致;对制备有所述掩蔽层的半导体晶片进行反型掺杂扩散,在所述扩散窗口处形成反型区;采用化学腐蚀、机械抛光或化学机械抛光方法去除所述网格状掩蔽层结构,得到平面结光电二极管阵列芯片;本发明解决了扩散法与平面结无法兼容的技术难题;既保留扩散法掺杂均匀、晶格完整性好的优势,避免离子注入导致的材料损伤问题,确保器件高性能;又通过平面结结构消除台面带来的间隙不均与应力失衡问题,兼顾成品率与可靠性。
天眼查资料显示,中航凯迈(上海)红外科技有限公司,成立于2021年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29116.7万人民币。通过天眼查大数据分析,中航凯迈(上海)红外科技有限公司参与招投标项目385次,专利信息46条,此外企业还拥有行政许可38个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯