华虹半导体申请PIP电容制作方法专利,提高电容器质量和性能
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2026-01-17 21:08:28
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国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“PIP电容的制作方法”的专利,公开号CN121357904A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本申请公开了一种PIP电容的制作方法,包括:提供一衬底,衬底上形成有耦合氧化物层,耦合氧化物层上形成有第一多晶硅层,第一多晶硅层的上方形成有第二多晶硅层,衬底的第一区域中形成有字线多晶硅,第一区域形成有第一氧化物层和第二氧化物层;对第一区域和第二区域进行刻蚀,直至第二区域的耦合氧化物层暴露;形成第三氧化物层;在第三氧化物层上形成第三多晶硅层;对第一区域进行刻蚀,去除第一区域的第三多晶硅层且在第一区域的第一氧化物层、第一多晶硅层和第二多晶硅层中形成第一沟槽;对第二区域进行刻蚀,在第二区域的第三多晶硅层中形成第二沟槽;对第三区域进行刻蚀,在第三多晶硅层中形成第三沟槽。

天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2944次,专利信息1969条,此外企业还拥有行政许可117个。

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来源:市场资讯

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