华虹半导体申请PIP电容制作方法专利，提高电容器质量和性能
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2026-01-17 21:08:28
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“PIP电容的制作方法”的专利，公开号CN121357904A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有耦合氧化物层，耦合氧化物层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层的上方形成有第二多晶硅层，衬底的第一区域中形成有字线多晶硅，第一区域形成有第一氧化物层和第二氧化物层；对第一区域和第二区域进行刻蚀，直至第二区域的耦合氧化物层暴露；形成第三氧化物层；在第三氧化物层上形成第三多晶硅层；对第一区域进行刻蚀，去除第一区域的第三多晶硅层且在第一区域的第一氧化物层、第一多晶硅层和第二多晶硅层中形成第一沟槽；对第二区域进行刻蚀，在第二区域的第三多晶硅层中形成第二沟槽；对第三区域进行刻蚀，在第三多晶硅层中形成第三沟槽。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。
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来源：市场资讯
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