东部高科申请半导体装置制造方法专利，公开半导体装置的制造方法
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2025-07-02 13:08:47
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，东部高科股份有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120239292A，申请日期为2024年04月。

专利摘要显示，本发明公开半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括如下步骤：在基板上形成掩膜图案；利用上述掩膜图案，执行用于在上述基板内形成主体区域及第一杂质区域的第一离子注入；在上述基板上形成相互隔开的第一栅极及第二栅极；对上述基板执行第一热工序来形成上述主体区域及上述第一杂质区域；以及形成从上述第一栅极与上述第二栅极之间延伸到上述第一杂质区域的接触部。

来源：金融界

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