南亚科技申请使用多层遮罩的半导体元件制备方法专利，形成多个下电极在绝缘层中
创始人
2026-01-22 09:10:22
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“使用多层遮罩的半导体元件的制备方法”的专利，公开号CN121357879A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开提供一种使用多层遮罩的半导体元件的制备方法。该制备方法包括形成一绝缘层在一基底上；形成一多层遮罩在该绝缘层上；使用该多层遮罩蚀刻该绝缘层；以及形成多个下电极在该绝缘层中。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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