长鑫芯瑞申请半导体结构及其制备方法专利，功能层填充满凹陷部
创始人
2026-01-22 15:13:18
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国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121368119A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的字线材料层和功能层以及位于字线材料层和功能层之间的介质层；字线材料层邻近功能层的一侧设置有沿第一方向延伸的凹陷部，凹陷部沿第二方向自上至下凹陷且凹陷部的侧壁被字线材料层围绕；介质层覆盖凹陷部的表面和字线材料层的顶面，功能层覆盖介质层的表面且填充满凹陷部，功能层包括沿第二方向自上至下相连的主体部和突出部，突出部位于凹陷部中，主体部位于突出部和覆盖字线材料层的顶部的介质层上，且沿第三方向，突出部的尺寸小于主体部的尺寸；字线材料层和功能层均包含导电材料。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息23条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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