英飞凌申请高电子迁移率晶体管结构专利，提升器件性能稳定性
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2026-01-22 17:44:22
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管和方法”的专利，公开号CN121368150A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及高电子迁移率晶体管和方法。一种HEMT结构包括外延堆，外延堆包括：沟道层，包括第一III‑V型半导体；和势垒层，按照外延方式在沟道层上生长并且包括第二III‑V型半导体。第一III‑V型半导体和第二III‑V型半导体使得沟道层和势垒层之间的异质结在沟道层内形成二维电子气体(2DEG)。栅极节点被安置在势垒层之上，并且源极节点被安置在栅极节点的侧向侧以便至少当2DEG在栅极节点下方连续时与2DEG处于导电接触。浮动p掺杂区被安置在势垒层之上，并且位于栅极节点的与源极节点相对的第二侧向侧，浮动p掺杂区包括第三III‑V型半导体材料。
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来源：市场资讯
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