杰平方半导体申请半导体器件及其形成方法专利，提高了产能
创始人
2025-07-02 19:10:17
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN120239314A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括衬底，衬底分为相对的第一面和第二面；位于衬底的第一面的栅极；位于衬底的内部并且靠近衬底的第一面的源极，源极位于栅极的两侧；位于衬底的内部并且靠近衬底的第二面的漏极；位于衬底的内部并且靠近衬底的第一面的终端环，终端环包括位于衬底的内部并且靠近衬底的第一面的沟槽以及位于沟槽内的介质层，介质层进行了P型离子注入并将P型离子进行了激活，终端环的横截面为环形，栅极和源极位于环形内。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息32条，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

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