京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，形成隔离槽
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2026-01-23 10:12:05
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121368228A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管制备方法包括：制作外延结构；在外延结构上形成第一掩膜层，第一掩膜层的一侧具有缺口，第一掩膜层在外延结构上的投影为第一投影区域，且第一投影区域具有与第一掩膜层对应的缺口，第一投影区域的外轮廓包括位于缺口处的第一段外轮廓和位于缺口之外的第二段外轮廓；在第一掩膜层的遮挡下，对外延结构进行第一次图形化处理，形成台阶结构；去除第一掩膜层，并在外延结构上形成第二掩膜层，第二掩膜层在外延结构上的投影为第二投影区域，第一段外轮廓位于第二投影区域内，第二段外轮廓位于第二投影区域外；在第二掩膜层的遮挡下，对外延结构进行第二次图形化处理，形成隔离槽。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目30次，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可111个。
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来源：市场资讯
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