湖北通格微申请半导体结构及其制备方法专利，提高半导体结构的产品良率
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2025-07-04 13:39:19
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，湖北通格微电路科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120261298A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，基于通孔布局图案在玻璃基板中形成通孔；在第一表面和第二表面上分别形成第一金属层和第二金属层，以及在通孔内形成连接金属层；对第一金属层和第二金属层同时进行刻蚀处理，得到第一图案化金属层和第二图案化金属层；在第一图案化金属层上形成第一介电层；第一介电层的材料为硅化物；基于通孔布局图案对第一介电层进行刻蚀处理，使通孔中的连接金属层在第一介电层中暴露；在连接金属层上方形成连接结构，得到第一半导体结构。能够使半导体结构具有较低的热膨胀系数，能够避免对半导体结构进行退火等温差较大的工艺时受到损坏，还使得玻璃基板两侧表面的应力变化会更加一致，提高半导体结构的产品良率。
天眼查资料显示，湖北通格微电路科技有限公司，成立于2022年，位于省直辖县级行政区划，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48500万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北通格微电路科技有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可27个。
来源：金融界
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