武汉新创元半导体申请一种IC封装载板及其制作方法专利，降低IC封装载板的厚度
创始人
2025-07-04 17:38:29
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种IC封装载板及其制作方法”的专利，公开号CN120261295A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种IC封装载板及其制作方法，其中制作方法包括，在芯板的两侧形成第一线路导电层，接着在芯板及第一线路导电层表面形成第一介质层，通过曝光、显影，在第一介质层中形成盲孔，所述盲孔的深度使得与第一介质层相邻的第一线路导电层暴露；在所述第一介质层表面形成第二线路导电层，所述第二线路导电层与第一线路导电层通过第一介质层盲孔中的导电层连通；重复上述方法，在芯板两侧形成多组对应的介质层和线路导电层，各相邻的线路导电层均通过介质层盲孔中的导电层连通；分别对芯板两侧最外的导电层的表面进行处理，分离芯板。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本28113.5511万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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