谛希半导体申请闪存结构及制造方法专利，提高嵌入式闪存性能
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2026-02-06 11:15:12
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国家知识产权局信息显示，上海谛希半导体科技有限公司申请一项名为“闪存结构、阵列、半导体器件的制造方法、及集成电路”的专利，公开号CN121463448A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种闪存结构、阵列、半导体器件的制造方法、及集成电路。闪存结构，包括形成于衬底上的第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元包括：第一漏极和第一栅极；第二存储单元包括：第二漏极和第二栅极，第一存储单元和第二存储单元共用源极；源极形成于衬底的第一位置；第一漏极形成于衬底的第二位置，第二漏极形成于衬底的第三位置；第二位置和第三位置设置于第一位置的两侧；第一沟道，形成于第一漏极和源极之间；第二沟道，形成于第二漏极和源极之间；其中，第一栅极形成于第一沟道的表面；第二栅极形成于第二沟道的表面；第一通孔，与源极连接，用于建立源极与源极线的连接。本申请具有提高嵌入式闪存性能的技术效果。
天眼查资料显示，上海谛希半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本150万人民币。通过天眼查大数据分析，上海谛希半导体科技有限公司专利信息2条。
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来源：市场资讯
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