中芯国际申请MOS管寄生电容测试电路及测试方法专利，减小MOS管寄生电容的测试误差_厂商动态

中芯国际申请MOS管寄生电容测试电路及测试方法专利，减小MOS管寄生电容的测试误差

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2026-03-04 15:42:08

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司申请一项名为“MOS管寄生电容测试电路及测试方法”的专利，公开号CN121595961A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种MOS管寄生电容测试电路及测试方法。所述测试电路包括：参考单元，用于对参考结构进行充放电，并测量得到所述参考结构的充电电流；至少一个测试单元，与所述参考单元并联连接，用于对测试结构进行充放电，并测量得到所述测试结构的充电电流；其中，所述测试单元及所述参考单元均包括：串联连接的第一器件及第二器件；所述第一器件及第二器件中至少一个器件为传输门。采用上述方案，可以减小MOS管寄生电容的测试误差。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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