上海华力申请SONOS存储器及其制备方法专利，实现芯片面积微缩10％～20％
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2026-03-07 21:42:34
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器及其制备方法”的专利，公开号CN121619865A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种SONOS存储器及其制备方法，其中在制备方法中，通过第一光刻工艺以及刻蚀硬掩膜层在选择管区域和存储管区域形成第一开口；然后通过第二光刻工艺以及刻蚀硬掩膜层在存储管区域和选择管区域交界处形成第二开口，接着之间通过一次刻蚀工艺同时形成第一沟槽和第二沟槽。本申请通过第一光刻工艺、第一次刻蚀(形成第一开口)以及第二光刻工艺、第二次刻蚀(形成第二开口)来提升存储管栅极和选择管栅极的工艺窗口，使得存储管栅极和选择管栅极之间的间距进一步微缩，从而能够在不牺牲存储单元工作窗口情况下，实现芯片面积微缩10％～20％。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2765条，此外企业还拥有行政许可399个。
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