力晶积成电子申请动态随机存取存储器结构及其制造方法专利，存储节点接触窗具有上窄下宽结构
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2026-03-11 19:44:48
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“动态随机存取存储器结构及其制造方法”的专利，公开号CN121645849A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，其中动态随机存取存储器结构基底、元件隔离结构、埋入式字线、位线以及多个存储节点接触窗。元件隔离结构位于基底中，并在基底内定义出多个主动区。埋入式字线位于基底中，并与主动区以及元件隔离结构交叉，其中埋入式字线沿第一方向延伸。位线位于基底上并沿第二方向延伸，其中第二方向垂直于该第一方向。存储节点接触窗位于位线的两侧并自基底上方延伸至各个主动区内。每个存储节点接触窗具有上窄下宽结构，且在所述上窄下宽结构内具有界面。
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