上海集成电路研发中心申请MOS器件及其制造方法专利，有效改善寄生效应
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2026-03-17 02:56:54
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国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN121665675A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种MOS器件及其制造方法，包括：衬底；源极区和漏极区，位于衬底中；栅极，位于衬底的第一表面所在一侧；第一后道互联层，位于衬底的第一表面所在一侧，并通过第一导电结构与栅极、源极区和漏极区电连接；第二后道互联层，位于衬底的第二表面所在一侧，并通过第二导电结构与源极区和漏极区电连接。本申请通过设置第一后道互联层和第二后道互联层双面互联结构，可以缩短互连线的长度，有效改善寄生效应，同时提升互联集成密度，满足对器件性能提升与集成度提高的需求。由于衬底的两侧均有后道互联结构，第一后道互联层和第二后道互联层对衬底产生的应力可以相互抵消和平衡，避免衬底翘曲等问题。
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