应用材料申请用于半导体处理腔室的辅助气体注入系统专利，减少排气出口中不希望的污染物和沉积物
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2026-03-20 00:21:59
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于半导体处理腔室的辅助气体注入系统以及相关衬垫和方法”的专利，公开号CN121694056A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开涉及用于减少半导体处理腔室的排气出口中不希望的污染物和沉积物的改良部件及相关方法。在一或多个实施方式中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体至少部分地限定内部容积。基板支撑件设置于所述内部容积中。所述处理腔室进一步包括位于所述腔室主体的第一侧的气体入口开口和位于所述腔室主体的第二侧的气体排气开口，所述气体排气开口与所述气体入口开口相对。所述处理腔室进一步包括辅助气体注入系统，所述辅助气体注入系统包括位于所述腔室主体的所述第二侧的辅助气体入口开口。流量控制器与所述辅助气体入口开口流体耦合。所述流量控制器被配置为通过所述辅助气体入口开口将清洁气体流入所述内部容积。
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