英飞凌申请制造半导体器件的方法专利，通过离子注入过程将包括硒的注入离子引入到半导体主体中
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2026-03-30 11:15:24
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN121751709A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，提出了一种制造半导体器件（100）的方法。该方法包括在半导体主体（102）的第一表面（1021）处处理半导体主体（102）。处理半导体主体（102）包括在第一表面（1021）之上形成布线区域（104）。此后，该方法进一步包括在半导体主体中形成场停止区（106）。形成场停止区（106）包括通过离子注入过程（I2Se）穿过半导体主体（102）的第二表面（1022）将包括硒的注入离子引入到半导体主体（102）中。第二表面（1022）与第一表面（1021）相对。离子注入过程的主束方向（I2Se）偏离主晶体方向至多1度，沿着该主晶体方向发生注入离子的沟道化，并且主束入射角发散度至多±0.5度。形成场停止区（106）进一步包括通过激光退火过程（LA）电激活硒的至少部分。
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