中芯国际申请半导体结构补偿确定方法专利，提高了对线条结构进行末端补偿的补偿效果_厂商动态

中芯国际申请半导体结构补偿确定方法专利，提高了对线条结构进行末端补偿的补偿效果

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2026-03-30 23:15:50

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的补偿确定方法及相关器件”的专利，公开号CN121746245A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构的补偿确定方法及相关器件，其中，方法，包括：获取包含有线条结构的目标图像；基于预设补偿范围，对线条结构的末端进行不同补偿尺寸的补偿；对补偿图像进行轮廓提取；对轮廓提取后的线条结构的末端进行多位置采样，以获取各采样位置的轮廓关键尺寸；基于轮廓关键尺寸和采样位置，构建不同补偿尺寸所对应的末端曲线，所述末端曲线用于指示预设方向上所述线条结构的轮廓关键尺寸，预设方向为线条结构的延伸方向；自不同补偿尺寸所对应的线条结构的末端曲线中选取符合工艺补偿条件的目标末端曲线；基于目标末端曲线所对应的补偿尺寸，确定目标补偿范围。本公开实施例提高了对线条结构进行末端补偿的补偿效果。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目116次，财产线索方面有商标信息176条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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