索尼申请半导体装置专利，提供一种包括三元或四元化合物半导体层的半导体装置
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2026-04-04 23:02:29
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置、半导体装置的制造方法以及通信装置”的专利，公开号CN121795110A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，提供了一种半导体装置，包括：三元化合物半导体层或四元化合物半导体层；第一绝缘层，所述第一绝缘层层叠于化合物半导体层上并具有第一开口部，所述第一开口部暴露化合物半导体层的上表面上的第一区域；第二绝缘层，所述第二绝缘层层叠于第一绝缘层上和第一开口部内并具有第二开口部，所述第二开口部具有比第一开口部窄的开口并暴露作为化合物半导体层的被第一开口部暴露的第一区域的一部分的第二区域；以及栅极电极，所述栅极电极层叠于第二绝缘层的上表面之上和第二开口部内，并且与化合物半导体层的上表面上的第二区域直接接触。
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来源：市场资讯
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