远为芯途申请半导体清洗用单分散大气泡气溶胶发生装置及同步控制方法专利，为半导体精密清洗提供粒径均一、可控性强的气溶胶
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2026-06-27 14:37:38
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国家知识产权局信息显示，四川远为芯途半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体清洗用单分散大气泡气溶胶发生装置及同步控制方法”的专利，公开号CN122273415A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体清洗用单分散大气泡气溶胶发生装置及同步控制方法，装置包括液体容器、深度可调的环形进气管以及旋转射流组件；环形进气管设置于所述液体容器的液面下方，表面设有单排垂直向上的通气孔，且通气孔的孔径沿远离进气口的方向呈梯度增大；旋转射流组件同心设置于所述环形进气管正上方的中心位置，侧壁设有垂直阵列分布的水平射流孔，所述水平射流孔的高度与浮起至液面的气泡高度相匹配。本发明实现均一尺寸大气泡的稳定生成，强制气泡液膜在多个位点同步失稳，消除破碎过程的随机性，达成气泡产生与破碎干预在空间和时间上的高度耦合，为半导体精密清洗提供粒径均一、可控性强的气溶胶，保障清洗工艺的稳定性与精准度。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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