南京邮电大学申请集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管专利，有效提升器件的击穿电压与反向导通能力
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2026-04-10 20:30:51
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国家知识产权局信息显示，南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请一项名为“一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121843214A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明属于功率器件技术领域，公开了一种集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的集成续流二极管的氧化镓场效应晶体管通过在氧化镓场效应晶体管中集成具有梯度掺杂浓度的P型半导体层，形成异质结续流二极管，实现了低开启电压且不受栅压调制的稳定反向续流功能，避免了外接二极管带来的额外芯片面积与寄生参数；本发明通过梯度掺杂设计与有源层电势耦合，优化了电场分布，从而在不显著牺牲导通电阻的前提下，有效提升了器件的击穿电压与反向导通能力，有利于实现高效率、高集成度的功率系统。
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