南亚科技申请半导体元件及其形成方法专利，提高图案分辨率
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2026-05-17 12:54:48
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其形成方法”的专利，公开号CN122054984A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，半导体元件的形成方法包含:在基板上形成栅极结构；分别在栅极结构的相对侧壁上形成栅极间隔层；分别在基板中与栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域；形成第一牺牲层以覆盖栅极结构与栅极间隔层；在第一牺牲层形成开口以暴露栅极间隔层的部分与基板；在开口中形成第二牺牲层；对第二牺牲层执行第一退火工艺以分离第二牺牲层的第一材料与第二材料，其中第一材料沿着栅极间隔层的侧壁和源极/漏极区域排列；去除第一牺牲层与第二材料；形成介电层于基板上并覆盖栅极结构与第一材料；以及将第一材料替换成第一源极/漏极接触件。所述方法合并两个相邻源极/漏极接触件的图案，提高了图案分辨率，增强蚀刻可控性，且降低后续工艺中图案变形的风险。
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