英飞凌科技申请包括传感器二极管结构的半导体器件专利，传感器沟槽电介质的厚度大于栅极电介质的厚度
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2026-07-14 14:30:21
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技德累斯顿公司申请一项名为“包括传感器二极管结构的半导体器件”的专利，公开号CN122396305A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，提出了一种半导体器件。半导体器件包括碳化硅SiC半导体衬底，其包括在SiC半导体衬底的第一表面处的晶体管单元区域和传感器区域。半导体器件进一步包括晶体管单元区域中的栅极沟槽。栅极电介质和栅极电极被布置在栅极沟槽中。半导体器件进一步包括传感器区域中的传感器沟槽。传感器沟槽电介质被布置在传感器沟槽的底侧处。半导体器件进一步包括传感器沟槽电介质上的传感器二极管结构。传感器沟槽电介质的厚度大于栅极电介质的厚度。从传感器沟槽的底侧到第一表面的竖直距离等于或大于从栅极沟槽的底侧到第一表面的竖直距离。
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