美光科技申请存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法专利，垂直交替绝缘层级及存储器单元层级提升电路性能
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2026-07-21 16:21:02
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN122438327A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请案涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括垂直交替绝缘层级及存储器单元层级。所述存储器单元层级中的存储器单元个别地包括水平晶体管及与所述水平晶体管电耦合的电容器。同一存储器单元层级中的所述晶体管的x方向紧邻沟道区具有在x方向上彼此相对的面向z方向侧。绝缘材料水平介于所述x方向紧邻沟道区之间。所述绝缘材料直接抵靠所述x方向紧邻沟道区的所述z方向侧且沿着所述x方向在所述z方向侧之间连续水平延伸。公开包含方法的其它实施例。
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