长鑫科技获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”
创始人
2026-08-10 03:15:31
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202610501503.X，授权日为2026年8月7日。
专利摘要：本公开提供了一种半导体结构的制作方法，包括提供衬底，并在衬底上依次形成堆叠结构和第一掩膜层，随后形成贯穿堆叠结构和第一掩膜层的多个第一牺牲结构，并以第一掩膜层为阻挡层，回刻第一牺牲结构并进行填充，形成多个第二牺牲结构。形成第二掩膜层并通过第二掩膜层刻蚀第一水平开口，以形成贯穿堆叠结构的多个垂直开口。通过设置第二牺牲结构，第二牺牲结构会对位于其下方的结构进行保护而不被刻蚀，从而将沿第一水平方向延伸的第一水平开口转换为多个间隔设置的垂直开口，改善了垂直开口形成过程中因为高深宽比造成的垂直开口孔型不佳的问题，降低了刻蚀难度，提升了半导体结构的制作精度和可靠性。
今年以来长鑫科技新获得专利授权19个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息417条，专利信息711条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。
数据来源：天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。
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