华润上华申请电容结构及其制备方法专利，能够提高电容结构的容值
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2026-08-15 09:24:54
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国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“电容结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN122579896A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体器件。电容结构包括：衬底；堆叠结构，设于衬底的一侧；堆叠结构包括至少三层导电层和至少两层第一介质层；通孔组，形成于堆叠结构上；通孔组至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔至少贯穿两层导电层和两层第一介质层，并暴露一导电层，第二通孔至少贯穿一层导电层和一层第一介质层，并暴露一导电层，第一通孔和第二通孔暴露的导电层不同；其中，第一通孔在衬底上的正投影与第二通孔在衬底上的正投影间隔设置；第一导电结构，至少部分设于第一通孔内，且与第一通孔暴露的导电层电连接；第二导电结构，至少部分设于第二通孔内，且与第二通孔暴露的导电层电连接。本申请能够提高电容结构的容值。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目6717次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1542条，此外企业还拥有行政许可124个。
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来源：市场资讯
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