华虹半导体申请沟槽电容的形成方法专利，减少下极板电阻并改善电容值
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2025-07-12 15:10:49
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽电容的形成方法”的专利，公开号CN120302649A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽电容的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成沟槽。采用等离子体掺杂工艺在沟槽的内侧表面处的半导体衬底的表面区域中形成第一导电类型重掺杂的下电极区。在沟槽的内侧表面上形成电容介质层。在沟槽中填充上电极导电材料层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可226个。
来源：金融界
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