华虹半导体申请超深光电二极管CMOS图像传感器制造方法专利，提高CMOS图像传感器的量子转换效率
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2025-07-16 21:10:50
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“超深光电二极管CMOS图像传感器的制造方法”的专利，公开号CN120322038A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种超深光电二极管CMOS图像传感器的制造方法，通过硅片键合及背面减薄的方法，在P型外延层的正面及背面进行两次N型离子注入，能形成深度超过4um的超深光电二极管，近红外波段的光线能被超深光电二极管吸收产生光生载流子，提高了CMOS图像传感器的量子转换效率；并通过在P型外延层的正面及背面进行两次P型离子注入形成超深的隔离区，能有效降低光电二极管的串扰效应。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2932次，专利信息1712条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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