韦尔半导体取得高保持电流瞬态电压抑制器件专利，解决现有二极管特性和传统NPN结构特性瞬态电压抑制器件钳位电压高问题
创始人
2025-07-17 17:09:25
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金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种高保持电流瞬态电压抑制器件”的专利，授权公告号CN223110415U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请提供了一种高保持电流瞬态电压抑制器件，具体通过将NPN结构与PNPN结构(SCR特性)并联，且NPN结构的击穿电压低于PNPN结构(SCR特性)的击穿电压，当在小电流时电流路径为NPN结构，当NPN结构两端的钳位电压大于PNPN结构(SCR特性)的击穿电压时，触发PNPN结构(SCR特性)，电流路径由NPN结构转换为PNPN结构(SCR特性)，进而解决现有二极管特性和传统NPN结构特性瞬态电压抑制器件钳位电压高，PNPN结构(SCR特性)虽然钳位电压低，但存在闩锁风险的问题。
天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息194条，此外企业还拥有行政许可13个。
来源：金融界
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