上海新微申请制造半导体衬底方法专利，减少机械减薄应用时间
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2025-07-22 10:39:01
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种制造半导体衬底的方法”的专利，公开号CN120356820A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请提供一种制造半导体衬底的方法，所述方法包括：将第一基板的表面与第二基板的第一表面键合，其中，所述第二基板在从所述第一表面指向第二表面的方向上依次包括顶层材料、中间层材料和衬底层材料；以及去除所述第二基板的所述衬底层材料和所述中间层材料，保留所述顶层材料，其中，所述第一基板和所述第二基板的所述顶层材料形成半导体衬底。该方法将第一基板与具有多层材料的第二基板键合，对具有多层材料的第二基板进行减薄，由此，能够利用不同材料层的特性差异，进行自停止的材料层去除方式，减少了机械减薄的应用时间，降低材料破碎的风险；此外，能够对第二基板的多层材料中厚度薄的顶层材料进行转移。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目477次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息707条，此外企业还拥有行政许可44个。
来源：金融界
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