泰科天润取得耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法专利
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2025-07-22 16:39:23
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法”的专利，授权公告号CN120091585B，申请日期为2025年05月。
天眼查资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本27745.22万人民币。通过天眼查大数据分析，泰科天润半导体科技（北京）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目83次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息278条，此外企业还拥有行政许可22个。
来源：金融界
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