上海新微半导体申请GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件专利，减小栅极漏电流
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2025-07-23 15:09:05
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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件”的专利，公开号CN120358766A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件，形成所述GaN基功率器件的过程中，在形成栅极或钝化层时，对栅极层进行钝化处理，以降低栅极层的激活量；或者，在形成栅极层时，控制栅极层从底部至顶部激活量按逐渐减小变化，以使得栅极层掺杂离子的空穴浓度降低，从而达到减小栅极漏电流的目的。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目826次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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