甬矽半导体申请高密度芯片封装结构及其制备方法专利，大幅提升堆叠密度和封装集成度_电池技术

甬矽半导体申请高密度芯片封装结构及其制备方法专利，大幅提升堆叠密度和封装集成度

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2025-07-28 18:12:21

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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“高密度芯片封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN120376433A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供的高密度芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该高密度芯片封装结构包括第一衬底、第一芯片、第二芯片、第三芯片、芯片堆叠模组和塑封体，将第一散热柱设置在第一衬底上，第三芯片的背面设置在第一散热柱上，而第二芯片的正面还设置有第二散热柱。芯片堆叠模组堆叠设置在第二芯片和第三芯片上，且芯片堆叠模组的底侧设置有第一导电柱和第二导电柱。相较于现有技术，本发明通过预先在芯片堆叠模组上设计第一导电柱和第二导电柱，采用模块化封装，能够大幅提升堆叠密度和封装集成度。并且，第一散热柱和第二散热柱的设置，能够大幅提升整体结构的散热效果，并且提升塑封体与芯片之间的结合力，提升结构稳定性。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司参与招投标项目33次，专利信息183条，此外企业还拥有行政许可14个。

来源：金融界

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