长江存储申请半导体结构及其制备方法相关专利，防止相邻两行引出结构连接导致短路_电池技术

长江存储申请半导体结构及其制备方法相关专利，防止相邻两行引出结构连接导致短路

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2025-07-28 19:10:32

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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN120379245A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善相邻引出结构短路导致的与其相连的栅极层控制半导体柱失效的问题。本申请提供一种半导体结构，包括多个半导体柱、多个字线组和多个引出结构。其中，多个半导体柱排布成多行多列。一个字线组连接一行半导体柱。字线组包括沿行方向依次间隔设置的多个栅极层，一个栅极层连接一行半导体柱中的一部分半导体柱。一个引出结构与一个栅极层连接。多个引出结构排列成多行多列，相邻两行引出结构在列方向上错开设置。通过上述设置，能够防止相邻两行引出结构连接从而导致短路，有利于提高半导体结构的良率。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

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