上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，降低生产成本与工艺复杂度
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2025-06-23 12:37:44
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120187019A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过在单元区、中间过渡区和外围区分别形成具有不同横向尺寸的第一抗反射层叠层、第二抗反射层叠层和第三抗反射层叠层，且在第一抗反射层叠层、第二抗反射层叠层和第三抗反射层叠层的侧壁上形成侧墙层，再以侧墙层和第二抗反射层叠层和第三抗反射层叠层为掩膜刻蚀浮栅层形成具有不同关键尺寸的控制栅极、第一外围电路和第二外围电路，通过对SADP的工艺步骤的优化，仅仅利用一层掩模就可以完成对衬底中单元区、中间过渡区与外围电路区的图形化操作，从而降低了生产成本与工艺复杂度，且由于只使用一层掩膜，减少了多步光刻、对准及刻蚀步骤，从而减少了工艺偏差，有利于提高半导体结构的生产良率。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1832次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1184条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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