中芯国际申请半导体结构形成方法专利，提高半导体结构的良率
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2025-06-23 12:37:43
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120187018A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，提供的基底包括单元存储区和逻辑区，多个相间隔的堆叠栅结构形成在单元存储区，第一栅极材料层覆盖堆叠栅结构以及基底中单元存储区和逻辑区，在逻辑区的第一栅极材料层上形成保护层，在对平坦结构和单元存储区的第一栅极材料层进行刻蚀处理的过程中，保护层保护逻辑区的第一栅极材料层免受刻蚀，而单元存储区中高于逻辑区的第一栅极材料层和平坦结构被去除，使得单元存储区剩余的第一栅极材料层的顶部和逻辑区的第一栅极材料层的顶部齐平，在刻蚀单元存储区和逻辑区的第一栅极材料层的过程中，单元存储区和逻辑区的栅极结构易于同时形成，使得逻辑区与单元存储区成功集成在同一基底的同时，提高了半导体结构的良率。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界
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