长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统专利，提供一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统
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2025-08-05 21:15:17
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统”的专利，公开号CN120435006A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统。该半导体结构包括：第一基板，包括多个第一阶梯台阶；第一叠层结构，包括交替堆叠的第一电介质层和第一栅极层，覆盖第一阶梯台阶且在第一基板的一侧沿第一方向延伸，其中，第一叠层结构的、沿第一叠层结构的堆叠方向远离第一基板的第一表面位于同一高度，第一方向相交于堆叠方向；以及第一接触结构，沿与堆叠方向相反的第二方向延伸至第一阶梯台阶上最靠近第一表面的第一栅极层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1395次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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