长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，提升半导体结构的面积利用率
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2025-08-06 15:11:11
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN120435011A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法、存储系统，该半导体结构包括具有第一堆叠结构的第一器件层、在第一方向上位于第一器件层的一侧的第一键合层、在第一方向上位于第一键合层远离第一器件层的一侧且与第一键合层键合固定的第二键合层、在第一方向上位于第二键合层远离第一器件层的一侧的第二器件层、在第一方向上至少贯穿第一堆叠结构及第一键合层的连接体，本申请提供的半导体结构及其制备方法、存储系统，通过至少贯穿第一堆叠结构和第一键合层的连接体的设置，减少了为形成连接不同器件层的连接线而设置的预留面积，提升了半导体结构的面积利用率。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1396次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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