华虹半导体申请沟槽电容结构及其制造方法专利，改善深沟槽底部和侧壁的氧化层厚度的不均性_电池技术

华虹半导体申请沟槽电容结构及其制造方法专利，改善深沟槽底部和侧壁的氧化层厚度的不均性

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2025-08-19 09:49:53

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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽电容结构及其制造方法”的专利，公开号CN120500055A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽电容结构，包括半导体衬底中形成的掺杂阱下极板；位于衬底上的深沟槽结构；覆盖沟槽内表面的复合介质层，包含顺序层叠的原位蒸汽生成氧化层和原子层沉积氧化层；填充在沟槽内的掺杂多晶硅上极板；设置在下极板、上极板表面的金属电极接触结构。本发明利用顺序层叠的原位蒸汽生成氧化层和原子层沉积氧化层作为复合介质层，复合介质层可以很好地改善深沟槽底部和侧壁的氧化层厚度的不均性，既提高了容值又提高了耐压。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可227个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。

来源：金融界

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