华虹半导体申请栅间氧化物层的形成方法专利，提高产品可靠性
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2025-08-19 09:50:08
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“栅间氧化物层的形成方法”的专利，公开号CN120500064A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种栅间氧化物层的形成方法，包括：通过HTO沉积工艺在浮栅多晶硅层上形成第一氧化物层，浮栅多晶硅层形成于耦合氧化物层上，耦合氧化物层形成于衬底上；对第一氧化物层进行热处理以使第一氧化物层的厚度达到其目标厚度；在第一氧化物层上形成氮化物层；在氮化物层上形成第二氧化物层。本申请通过在闪存的制作过程中，在形成浮栅多晶硅层后，先通过HTO沉积工艺在浮栅多晶硅层上形成第一氧化物层，再对第一氧化物层进行热处理以使第一氧化物层的厚度达到其目标厚度，进而形成氮化物层和第二氧化物层，使得形成的第一氧化物层与目标厚度更为失配且降低了界面态缺陷，膜质更为致密，在很大程度上降低了浮栅中电子的逃逸概率，提高了产品可靠性。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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