这家厂商全球首发8英寸低电阻碳化硅衬底
创始人
2025-09-25 14:04:12
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在近期召开的国际碳化硅及相关材料会议(ICSCRM) 上,国内厂商天科合达全球首次公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底。

图片来源:天科合达

据悉,该低电阻衬底可将电阻率控制在7-12mΩ·cm范围内,仅为常规N型衬底电阻率的一半。层错缺陷控制是低电阻产品研发中的关键挑战,天科合达科研团队经过持续技术攻关,成功解决了低电阻率条件下层错缺陷密度过高的行业难题。低电阻率衬底是充分释放碳化硅功率器件性能潜力的关键技术之一。

据研究人员测算,衬底电阻每降低1mΩ·cm,器件导通电阻可相应降低2–4%,从而显著减少大电流应用中的能量损耗,为800V电驱系统、高压快充、轨道交通、智能电网等高端应用场景提供坚实支撑。天科合达将率先在全球范围内推动该低电阻衬底的送样工作,助力客户提升产品性能。

天科合达表示,公司不仅全球首发了#8英寸低电阻导电衬底,而且还在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶体生长技术上取得了并行突破。此外,公司碳化硅衬底累计销量突破100万片,成就全球市场重要里程碑。

(文/集邦化合物半导体整理)

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