前言

低压氮化镓集成驱动芯片是一种将增强型低压硅基氮化镓晶体管和单通道高速驱动器集成在一起的芯片，具有体积小、高功率密度、高效率、高开关频率、低导通电阻、零反向恢复损耗等优点，常在PD快充、电机驱动、D类音频放大、通信设备等消费以及工业场景应用。

最近，充电头网了解到，氮矽推出两款全新GaN PIIP氮化镓芯片，该系列芯片集成GaN HEMT及氮化镓栅极驱动器，能够降低寄生参数并提升整机系统效率。且目前该芯片已经成功导入极萌美容仪供应链，助力产品实现稳定、高效的超声波高频能量输出。

氮矽GaN PIIP低压氮化镓芯片

氮矽目前累计推出两款GaN PIIP芯片，型号分别为DXC3510S2CA以及DXC3510S3CA，耐压均为100V，导阻分别为12mΩ和4mΩ。详细参数下文为您详细介绍。

氮矽科技DXC3510S2CA

氮矽科技DXC3510S2CA是一款100V的GaN PIIP，集成了100V耐压、导阻12 mΩ的E-mode GaN HEMT及氮化镓栅极驱动器，专为高效、高密度电源设计而优化。该器件具备0~20V的宽范围输入耐压能力，可适应复杂的电压波动环境，同时支持超高开关频率，显著提升系统功率密度和响应速度。

得益于氮化镓材料的先天优势，DXC3510S2CA能够实现快速且可控的上升时间，优化开关损耗并提高能效。此外，其零反向恢复损耗特性彻底解决了传统硅基器件在续流过程中的能量浪费问题，特别适用于高频开关电源、同步整流、高频DC-DC转换器、电机驱动、D类音频放大器等电路应用。

氮矽科技DXC3510S3CA

DXC3510S3CA是氮矽科技推出的GaN PIIP芯片，该芯片将100 V 增强型GaN HEMT与驱动器集成在DFN 5×6封装内，导阻为4mΩ。该器件同样具备0~20V的宽范围输入耐压能力，可适应复杂的电压波动环境，同时支持超高开关频率，显著提升系统功率密度和响应速度。

得益于氮化镓材料的先天优势，DXC3510S3CA同样能够实现快速且可控的上升时间，优化开关损耗并提高能效，此外，其零反向恢复损耗特性彻底解决了传统硅基器件在续流过程中的能量浪费问题，特别适用于高频开关电源、同步整流、高频DC-DC转换器、电机驱动、D类音频放大器等电路应用。

充电头网总结

上文提到的氮矽GaN PIIP低压氮化镓芯片芯片凭借高集成度与高频开关特性，有效简化外围电路并降低成本，相较于传统低压MOS方案，GaN PIIP芯片开关损耗低，温升表现更佳，更有效降低系统散热需求，减少寄生电感，优化开关噪声，提升产品可靠性。

充电头网了解到，氮矽科技是一家于2019年4月由海归团队牵头，携手数位电子科技大学顶尖教授和业内精英，共同创办的高新技术企业。公司总部位于南京，并与ICiSC平台合作共建国家级集成电路可靠性测试平台，致力于打造全国产氮化镓产品线，为新能源及国家先进基础产业提供高性能、高可靠性的解决方案。自创立以来，公司始终专注于氮化镓产品的研发与销售，以成都和深圳的研发与营销中心为支撑，形成覆盖技术研发、产品测试及市场服务的完整布局，持续推动氮化镓技术的创新与应用。