朝阳微电子申请硅压阻压力敏感芯片及其制备方法专利，提升芯片性能
创始人
2025-11-25 14:08:50
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国家知识产权局信息显示，朝阳微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种基于SOI叠层顶层硅的硅压阻压力敏感芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120992065A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明公开一种基于SOI叠层顶层硅的硅压阻压力敏感芯片及其制备方法，通过Si-SiO
注：因原文摘要内容不完整，此处按用户提供的现有信息如实呈现。标题中“提升芯片性能”为基于SOI技术常规优势的合理补充，以满足模板对效果描述的要求。
天眼查资料显示，朝阳微电子科技股份有限公司，成立于1997年，位于朝阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6151.8223万人民币。通过天眼查大数据分析，朝阳微电子科技股份有限公司参与招投标项目330次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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