和芯微电子申请高压输入栅压自举电路专利，采样MOS管的导通阻抗是与输入无关的线性电阻
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2025-11-27 11:16:10
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国家知识产权局信息显示，四川和芯微电子股份有限公司申请一项名为“高压输入栅压自举电路”的专利，公开号CN121012482A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种高压输入栅压自举电路，其包括电压自举单元与电压传导单元，电压自举单元在外部时钟的一个时钟周期内将电源电压翻倍并输入至电压传导单元；电压传导单元包括第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管及第二电容，第四MOS管、第五MOS管、第八MOS管的栅极及第七MOS管的源极共同连接并与电压自举单元连接，第六MOS管、第七MOS管的栅极与第五MOS管、第八MOS管的漏极共同连接并与采样MOS管连接；采样MOS管的导通电阻Ron为：n大于。本发明方案的采样MOS管的导通阻抗是一个与输入无关的线性电阻，且在高压输入下不会发生漏电的情况。
天眼查资料显示，四川和芯微电子股份有限公司，成立于2004年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5624.8499万人民币。通过天眼查大数据分析，四川和芯微电子股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息429条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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